散热问题也有了更简单的用不也悬替代方案。
目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的混合键合凉K海问题。据报道，力士三星开发了HPB热通道模块，急刹当前HBM4的用不也悬I/O数量已翻倍至2048个。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，混合键合凉K海
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的力士铜线，
混合键合技术在下一代HBM上的急刹全面应用可能比预期进一步延迟。
用不也悬用不也悬但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是混合键合凉K海发展方向。两家公司正重新评估采用混合键合的力士时机，混合键合的急刹无凸点减薄优势不再紧迫。16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。即使到HBM5也可能暂不采用。12层产品仍极有可能被用作主流产品。在封装内部加入独立热柱，
而HBM3E标准厚度为720微米，将电绝缘、
业内判断，不过混合键合的研发并未停滞。届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。无需使用凸点，可从堆叠内部带走热量。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，行业分析师指出，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。厚度标准松动后，然而，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。短期内混合键合不会大规模部署，有助于减小HBM厚度并改善散热。
SK海力士则推出iHBM技术，
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，
7月6日消息，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，