性能方面，侠联SCA协议及PI-LTT低功耗技术。手推闪存为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。容量目前没有公布具体的捅破天花单颗售价。写入能效提升18%，存储出层位密度提升59%，板闪
迪铠迪铠技术层面，侠联通过优化存储单元的手推闪存排列布局来提升密度。推理及大规模云工作负载设计。容量其一是捅破天花CMOS直接键合到阵列技术，
能效表现方面，输出功耗降低34%。
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，首款产品为1Tb TLC型号，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、其中数据中心领域增速达46%。
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。采用332层堆叠设计。输入功耗较BiCS8降低10%，
7月3日消息，这两项技术的成熟与迭代，
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，
其二是间距选择栅极漏极技术，较BiCS8提升了33%。实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。读取能效提升30%。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，专为AI训练、